ထိုင်ဝမ်၏ယူနိုက်တက်နေ့စဉ်သတင်းစာ၏အဆိုအရတောင်အာရှဘဏ်ခွဲမှအထွေထွေမန်နေဂျာ Li Peiying သည် ၁၀- ခုမြောက် nanometer DRAM နည်းပညာအားသုတေသနနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုပြီးဆုံးခဲ့ပြီးယခုနှစ်ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင်စမ်းသပ်မှုများစတင်မည်ဟုကြေငြာခဲ့သည်။
ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ DRAM မှတ်ဉာဏ်ချစ်ပ်များကို Samsung၊ SK Hynix နှင့် Micron မှအဓိကထိန်းချုပ်သည်။ သူတို့၏ဝေစုမှာ ၉၅% ကျော်သည်။ အဓိကအကြောင်းပြချက်ကတော့ဒီနည်းပညာမူပိုင်ခွင့်သုံးခုဟာအလွန်မြင့်မားတဲ့တံခါးခုံကိုဖွဲ့စည်းထားလို့ဖြစ်တယ်။ အခြားကုမ္ပဏီများအတွက်ဖြတ်ကျော်ရန်ခက်ခဲသည်။ ။
တောင်အာရှဌာနခွဲသည် ၂၀nm နည်းပညာကိုအာရုံစိုက်ပြီးနည်းပညာအရင်းအမြစ်မှာ Micron ဖြစ်သည်။ Nanya ၏ 10-nanometer ဖြစ်စဉ်ကိုလွတ်လပ်သောနည်းပညာသို့မိတ်ဆက်ပေးခြင်းဖြင့်၎င်းသည်အနာဂတ်တွင် Micron ၏ခွင့်ပြုချက်အပေါ်တွင်မှီခိုတော့မည်မဟုတ်ဘဲထုတ်ကုန်တစ်ခုစီကိုကုမ္ပဏီကိုယ်တိုင်ကတီထွင်သည်။ ကုန်ကျစရိတ်ကိုအလွန်လျှော့ချနေကြသည်။
Li Peiying ကပြောကြားရာတွင် Nanyake သည်အနည်းဆုံးခေတ်သုံးခုအတွက် DRAM ထုတ်ကုန်များရေရှည်တည်တံ့စေနိုင်သော 10nm DRAM အတွက်မှတ်ဉာဏ်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာအသစ်ကိုအောင်မြင်စွာတီထွင်နိုင်ခဲ့သည်ဟုဆိုသည် ပထမ ဦး ဆုံး 10nm ခဲထုတ်ကုန်များဖြစ်သော 8Gb DDR4, LPDDR4 နှင့် DDR5 တို့ကိုလွတ်လပ်သောလုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာနှင့်ထုတ်ကုန်နည်းပညာပလက်ဖောင်းများပေါ်တွင်တည်ဆောက်မည်ဖြစ်ပြီး ၂၀၂၀ ဒုတိယနှစ်ဝက်ပြီးနောက်ကုန်ပစ္စည်းစမ်းသပ်မှုထုတ်လုပ်မှုကိုစတင်မည်။
ဒုတိယမျိုးဆက် 10-nanometer ဖြစ်စဉ်၏နည်းပညာသည်သုတေသနနှင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုစတင်ခဲ့ပြီး ၂၀၂၂ တွင်စမ်းသပ်မှုများစတင်ရန်မျှော်လင့်ရသည်။ တတိယမျိုးဆက် 10-nanometer ဖြစ်စဉ်ကိုနောင်အနာဂတ်တွင်တီထွင်လိမ့်မည်။ သူကအလေးထားပြောကြားရာတွင် ၁၀ နာနိုမီတာလုပ်ငန်းစဉ်ကို ၀ င်ရောက်ပြီးနောက် Nanya သည်ကိုယ်ပိုင်တီထွင်ထုတ်လုပ်နိုင်သည့်နည်းပညာကိုအာရုံစိုက်ရန်၊
10-nanometer ဖြစ်စဉ်တိုးတက်မှုနှင့်အညီ, Nanya ၏မြို့တော်အသုံးစရိတ်သည်ယမန်နှစ်ကယွမ် ၅.၅ ဘီလီယံထက်ပိုများလိမ့်မည်။ Li Peiying ကပြောကြားရာတွင်ကုန်ကျစရိတ်များတိုးမြှင့်ခြင်းအပြင် Nanya ၏ 10-nanometer ဖြစ်စဉ်နည်းပညာကိုအောင်မြင်စွာလွတ်လပ်စွာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေခြင်းဖြင့်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအခွင့်အလမ်းများနှင့်မြင့်မားသောထုတ်ကုန်အသစ်များဆီသို့နည်းပညာတိုးတက်မှုကိုနားလည်ရန်ကူညီလိမ့်မည်ဟုပြောကြားခဲ့သည်။